答：3nm臺(tái)積電工藝， 3nm工藝趨于完善，良品率平均在60%到70%。
臺(tái)積電3nm工藝優(yōu)勢1、功耗降低34%，性能提升18%，晶體管密度提升至少18%， 2、相同速度下臺(tái)積電 3nm 的邏輯密度增益增加 60%，功耗降低 30-35%， 3、并支持創(chuàng)新的臺(tái)積電 FINFLEX 架構(gòu)，是目前最新最先進(jìn)的芯片制程工藝。
|
免責(zé)聲明：本站部分文章和圖片均來自用戶投稿和網(wǎng)絡(luò)收集，旨在傳播知識(shí)，文章和圖片版權(quán)歸原作者及原出處所有，僅供學(xué)習(xí)與參考，請勿用于商業(yè)用途，如果損害了您的權(quán)利，請聯(lián)系我們及時(shí)修正或刪除。謝謝！
始終以前瞻性的眼光聚焦站長、創(chuàng)業(yè)、互聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，為您提供最新最全的互聯(lián)網(wǎng)資訊，幫助站長轉(zhuǎn)型升級，為互聯(lián)網(wǎng)創(chuàng)業(yè)者提供更加優(yōu)質(zhì)的創(chuàng)業(yè)信息和品牌營銷服務(wù)，與站長一起進(jìn)步！讓互聯(lián)網(wǎng)創(chuàng)業(yè)者不再孤獨(dú)！
掃一掃，關(guān)注站長網(wǎng)微信
大家都在看
